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一种快速退火的镀膜方法 CN201711329122.5 - 本发明公开了一种快速退火的镀膜方法，其中，所述镀膜方法用于DLC膜系，包括真空溅镀和快速退火，逐层真空溅镀后进行快速退火，快速退火为快速闪灯退火，将已镀好膜的膜系结构置于环境温度不超过100℃的密封腔室中，使膜层经过惰性气体灯的照射，进行烧结处理。本发明采用本发明采用100℃以下的低温进行退火，快速的退火方式使得经真空溅镀的膜系结构可以快速烧结成型，同时多层镀膜后一次退火烧结还节约了制备工艺，同时保证了DLC膜系的良好特性，如稳定性及摩擦特性等。 专利申请的撤回
多用途金属膜层真空镀膜生产线 CN201711333482.2 - 本发明公开了多用途金属膜层真空镀膜生产线，包括依次连接的进口室、进口缓冲室、进口传送室、溅射室、出口传送室、出口缓冲室、出口室和质检室，所述进口室、进口缓冲室、进口传送室、溅射室、出口传送室、出口缓冲室、出口室内均设有依次连接的传动辊，所述质检室内设有镀膜质检辊和质检系统，所述出口室内传动辊与镀膜质检辊相连，所述传动辊与镀膜质检辊用于传送镀膜基片。本发明提供的多用途金属膜层真空镀膜生产线能够实现各类镀膜的大批量、低成本生产，而且溅射沉积速率高，工艺通用性强。素扩散路径短，无中间产物，无元素蒸发，因而制备速度快、效率高，良品率高达95％以上，特别适合大规模工业化生产。 专利申请的驳回
一种用于薄膜晶体管的立式镀膜生产线 CN201711329158.3 - 本发明公开了一种立式镀膜生产线为连续镀膜生产线，其中，包括TFT蒸镀室、OLED蒸镀室和后处理腔室，各蒸镀室通过传动辊连接成一个连续镀膜生产线，生产线上的各蒸镀室之间设有缓冲和调解腔室，以及收卷和放卷装置等辅助腔室，每个蒸镀室与周围的辅助腔室构成一个镀膜子线。本发明采用立式薄膜基材的展开方式，使得薄膜在镀膜过程中减少了环境中杂质对镀膜质量的影响，并且将膜面与生产线的接触降到最低，避免了膜面接触其他物体后破坏膜层的均匀性，巧妙地将OLED屏幕的各层处理方式结合起来，形成了一个完整的生产线，大大提高了生产效率，且一体化的生产过程降低了生产过程中的消耗，节能环保，生产的膜层质量更好。 专利申请的撤回
LOW-E玻璃真空磁控溅射镀膜生产线 CN201711334377.0 - 本发明公开了LOW‑E玻璃真空磁控溅射镀膜生产线，包括依次连接的上片区、进口腔室、进口缓冲腔室、进口传送腔室、溅射腔室、出口传送腔室、出口缓冲腔室、出口腔室、质检腔室和卸片区，所述上片区、进口腔室、进口缓冲腔室、进口传送腔室、溅射腔室、出口传送腔室、出口缓冲腔室、出口腔室和卸片区内均设有依次连接的传动台，所述质检腔室内设有镀膜质检区和质检系统，所述出口腔室内传动台与镀膜质检台相连。本发明提供的LOW‑E玻璃真空磁控溅射镀膜生产线能够实现各类镀膜的大批量、低成本生产，而且溅射沉积速率高，工艺通用性强，特别适合大规模工业化生产。 专利申请的驳回
手机玻璃质量检测装置 CN201711329409.8 - 本发明公开了手机玻璃质量检测装置，包括至少一真空镀膜基片架、一轨道、传动机构和质检系统，每个所述真空镀膜基片架均在其对应轨道上往返滑动，所述传动机构与真空镀膜基片架连接并为其提供动力，所述真空镀膜基片架上安装有若干基片孔，真空镀膜基片安装于基片孔内，所述质检系统包括光源和顺次连接的光电探测器、滤波器和A/D转换器，所述光源与光电探测器分设于轨道两侧。本发明提供的手机玻璃质量检测装置可用于真空镀膜基片的质量检测，通过将出口室传送的完成镀膜的基片安装于基片孔内进行光电检测，能够配合生产线各腔室实现镀膜的大批量、低成本生产，特别适合大规模工业化生产。 专利申请的驳回
一种ITO膜层的后处理方法 CN201711329157.9 - 本发明公开了一种ITO膜层的后处理方法，该方法将已经过ITO镀膜的膜层结构置于环境温度不超过80℃的密封腔室中，使ITO膜层经过惰性气体灯的照射，进行烧结处理。本发明采用本发明采用80℃下退火温度，通过闪灯退火工艺，制得的ITO薄膜，在其他参数保持一致的情况下，透过率大大增加，耐酸耐碱，与高温下制得的ITO薄膜相比，本实施例中的电阻透过率在80％以上。 专利申请的撤回
一种制备薄膜太阳能电池的方法 CN201711330314.8 - 本发明公开了一种制备薄膜太阳能电池的方法，所述将Mo层真空磁控溅射在基板上之后，真空蒸镀CIGS吸收层，后真空磁控溅射ZnO缓冲层，闪灯退火后再次磁控溅镀AZO层，得到烧结后的CIGS太阳能电池板。与现有技术相比，本发明采用蒸镀与闪灯退火工艺相结合的蒸镀方法，不仅可以实现CIGS太阳能电池的连续镀膜过程，同时还可以通过及时退火时膜系的性能保持在最佳状态，不受多次温度的改变和膜系的制作方式的影响，通过本发明制备出的太阳能电池板，其太阳能转化效率可以达到20％，以转化率长期保持着国内领先水平，镀膜均匀性达到90％。 专利申请的驳回
一种基于柔性材料的TFT基板 CN201711329160.0 - 本发明公开了一种基于柔性材料的TFT基板，其中，基于柔性材料的TFT基板依次包括：柔性基材、散热层、TFT层和显示层，显示层即为OLED层，OLED层包括阳极金属层、有机层和阴极金属层。本发明采用增加散热层的方式增大TFT基板本身的散热能力，且增加的散热层具有一定的连接作用，在一定程度上可以代替原有的桥接层，起到桥接和散热的作用，散热层的原料廉价易得且环境友好，经过蒸镀后可得到散热良好的基于柔性材料的TFT基板。 专利申请的撤回
一种用于薄化玻璃镀膜的化学气相沉积法 CN201711330313.3 - 本发明公开了一种用于薄化玻璃镀膜的化学气相沉积法，所述采用化学气相沉积法依次在柔性基材上镀制散热层、TFT层，TFT层中的ITO膜进行退火处理，得到对柔性基材薄膜晶体管。本发明采用本发明采用化学气相沉积法与闪灯退火方法结合，辅以构图工艺，得到精确的TFT结构，且得到的TFT结构的兼容性高、散热性好，可以根据需要设计表面各结构，具有良好的市场价值。 专利申请的撤回
一种TFT基板的镀膜方法 CN201711329187.X 2021-06-15 本发明公开了一种TFT基板的镀膜方法，所述镀膜方法将硼氢化合物先和含硅原料按比例混合均匀，混合后压制在已预镀有缓冲层和硼氢化合物的基板上，再通入含硅原料和氢气，化学气相沉积法镀膜。本发明采用与现有技术相比，本发明采用化学气相沉积法与喷涂法相结合的镀膜方法，改变了原有的TFT基板的镀膜工艺，使得现有工艺中硼元素的分散更加均匀，膜系结构更加均匀完整，整个镀膜过程比以前更加环保高效，制作成本低，制作出的TFT基板无需单独对沟道进行掺杂，制备工艺简单对环境要求低，具有潜在的市场价值。 专利权的授权