- 专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
- 一种炉体装配工装及炉体装配方法 CN201910566936.3 2021-09-10 本发明公开了一种炉体装配工装及炉体装配方法，工装包括支座、转轴和转筒，所述转筒包括两个端座和多个支撑杆，所述多个支撑杆设于两个端座之间，且多个支撑杆呈环形均匀固定在端座上，所述两个端座穿设在转轴上，所述转轴可拆卸的安装在支座上。方法包括炉丝上工装、卡绝缘子、在炉丝上焊接引线、铺保温棉、炉体下工装、棉圈和端盖安装的步骤。本发明利用上述工装，可实现炉丝、绝缘子、引线、保温棉、炉壳等高质量和高效率安装。利用辅助装置确保了两端棉圈准确安装，大大降低棉圈安装过程的损坏。 专利权的授权
- 一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法 CN201910555777.7 - 本发明公开了一种HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：采用磁控溅射技术于压强为0.8Pa～2Pa下在N型硅片背光面的N型掺杂非晶硅层和受光面的P型掺杂非晶硅层上分别沉积第一透明导电氧化物薄膜层；采用磁控溅射技术于压强为0.1Pa～0.8Pa下在N型硅片背光面和受光面的第一透明导电氧化物薄膜层上分别沉积第二透明导电氧化物薄膜层，完成对HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备。本发明HJT电池双层透明导电氧化物薄膜的制备方法具有成本低廉、沉积速率高等优点，不仅能够制备得到高质量透明导电氧化物薄膜，同时能够减少衬底损伤，对于提高异质结电池的转换效率和应用范围具有十分重要的意义。 专利申请的撤回
- 一种基于金属纳米颗粒的HJT电池及其制备方法 CN201910555525.4 - 本发明公开了一种基于金属纳米颗粒的HJT电池及其制备方法，该电池包括N型硅片，其受光面和背光面上依次设有本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、第一金属纳米颗粒层、受光面TCO层、背光面TCO层、金属栅线电极。其制备方法包括：对对N型硅片进行制绒清洗，然后依次沉积或制备本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、第一金属纳米颗粒层、受光面TCO层、背光面TCO层、金属栅线电极。本发明HJT电池具有光吸收性能好、短路电流高、光电转换效率高等优点，其制备方法具有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、兼容性好、生产效率高等优点，对于制备成本低、电学性能优异的HJT电池具有十分重要的意义。 专利申请的驳回
- 一种HJT电池及其制备方法 CN201910554740.2 - 本发明公开了一种HJT电池及其制备方法，该电池包括N型硅片，其受光面和背光面上分别设有本征非晶硅层，本征非晶硅层上分别设有P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层，P型掺杂非晶硅层上依次设有IMO层和ITO层，N型掺杂非晶硅层上设有ITO导电膜层，ITO层和ITO导电膜层上分别设有金属栅线电极。其制备方法包括：对N型硅片进行制绒清洗，沉积/制备本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、IMO层、ITO层、ITO导电膜层、金属栅线电极。本发明HJT电池具有优异的电学性能，对于提高异质结电池的应用范围具有十分重要的意义，其制备方法具有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、生产效率高等优点。 专利申请的驳回
- 一种管式PECVD设备的反应室结构 CN201910429212.4 2021-05-14 本发明公开了一种管式PECVD设备的反应室结构，包括石英炉管、过渡筒、炉门和后端端面法兰，过渡筒在石英炉管的前端，并与炉门连接，后端端面法兰设于石英炉管的后端，后端端面法兰外侧设有进气管，内侧设有均匀布气板，均匀板上有多个布气孔，均匀板与后端端面法兰内侧之间设有缓冲进气腔，进气管和布气孔均与缓冲进气腔连通，过渡筒内设有内盖，内盖与炉门连接，内盖盖在石英炉管的管口，内盖上设有导流管，过渡筒上设有抽气口，导流管两端连石英炉管和抽气口。本发明将原有前端环形进气改为后端平面进气，工艺气体可快速均匀分布在石英炉管内，气体流场稳定性和均匀性大幅提高，抽气口设置在过渡筒上，避免了前端炉门运动又进气的问题。 专利权的授权
- 利用管式PECVD设备制备背面钝化膜的方法 CN201910344320.1 2021-05-14 本发明提供了一种利用管式PECVD设备制备背面钝化膜的方法，该方法包括以下步骤：将硅片置于管式PECVD设备中进行恒温处理、前处理、背面沉积AlOx膜、后处理、在AlOx膜上沉积第一SiNx膜、在第一SiNx膜上沉积第二SiNx膜，完成对背面钝化膜的制备。本发明方法通过利用管式PECVD设备并改良工艺流程和工艺参数即可实现PERC电池背面钝化膜的制备，不仅有利于提高旧产线或旧设备的利用率，同时还具有设备投资成本低、维护频率低、制备成本低等优点，且由此制得的太阳电池也具有较高的光电转换效率，对于实现PERC电池的广泛应用具有十分重要的意义。 专利权的授权
- 背面全钝化接触太阳能电池及其制备方法 CN201910145734.1 - 本发明公开了一种背面全钝化接触太阳能电池及其制备方法，该电池包括从下至上依次连接全铝背电场、纳米晶氢化硼掺杂碳化硅层、氧化硅层、P型硅、n+发射极层和氮化硅层，以及背面电极、重掺杂n++发射极和正面电极，重掺杂n++发射极的一端连接正面电极，另一端穿过n+发射极层镶嵌在P型硅中。其制备方法包括清洗、制绒、扩散、正面激光SE、二次清洗、表面化学氧化、沉积钝化层、烧结、氢化、制备氮化硅层、丝网印刷和烧结。本发明电池具有短路电流大、开路电压高、光电转换效率高等优点，其制备方法有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、兼容性好、生产效率高等优点，能够满足大规模制备，利于工业化利用，具有十分重要的意义。 专利申请的撤回
- 一种高温设备的净化台 CN201910019668.3 2020-07-10 本发明公开了一种高温设备的净化台，包括主框架、碳化硅桨、碳化硅桨运动模组和插片机对接机构，碳化硅桨运动模块组包括Z轴移动模块、Y轴移动模块和X轴伸缩模块，Z轴移动模块安装在主框架上，Y轴移动模块可移动的安装在Z轴移动模块上，X轴伸缩模块可移动的安装在Y轴移动模块上，碳化硅桨安装于X轴伸缩模块的伸出端，插片机对接机构包括对接导轨和可与碳化硅桨对接的支撑架，支撑架可移动的设于对接导轨上，对接导轨设于主框架的底部，支撑架与对接导轨之间设有用于避让碳化硅桨的对接避让区。本发明具有空间紧凑、互换性高、产能高、成本低的优点。 专利权的授权
- 一种选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池的制备方法 CN201811511719.6 2020-07-10 本发明公开了一种选择性发射极和选择性发射极电池的制备方法，该选择性发射极的制备方法包括以下步骤：将掩膜板覆盖在制绒后的硅片上，送入到扩散炉中进行高掺杂深扩散和低掺杂浅扩散，在硅片电极区域和非电极区域分别形成高掺杂深扩散区和低掺杂浅扩散区，退火，去除掩膜板，完成制备。选择性发射极电池的制备方法包括上述选择性发射极的制备步骤。本发明选择性发射极的制备方法，无需额外增加工序和设备，也不需对现有设备和工艺进行较大规模的改造和调试，可以兼容现有产线设备实现选择性掺杂，具有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、兼容性好、生产效率高等优点，对于制备低成本、高光电转换效率的选择性发射极电池具有十分重要的意义。 专利权的授权
- 一种自适应真空密封炉门机构及其初始调节方法 CN201811455653.3 2020-07-10 本发明公开了一种自适应真空密封炉门机构，包括炉门和连接板，炉门包括密封部和安装部，连接板上设安装孔，密封部活动地贯穿安装孔，安装孔下侧支撑于支撑滚珠上，安装孔的外周设有多组弹性压紧组件。其初始调节方法，包括步骤；调节各组支撑组件使炉门与炉体的轴心重合；对炉门进行初步预紧；关闭炉门，确定炉门夹紧于炉体上所需的夹紧行程；打开炉门，调节密封部密封面的上下俯仰角度和左右摆动角度，使炉门密封面与炉体的端面平行；再次调节各组弹性压紧组件，使各组弹性压紧组件的压缩程度一致；关闭炉门并将炉门按照设定的夹紧行程向炉体所在的一侧夹紧。本发明具有结构简单、可靠，调节范围大，能够减少检修维护工作量等优点。 专利权的授权