专利标题 公开号/公告号 公开日期 摘要 专利状态
一种低频PECVD沉积氧化铝的方法 CN201910959148.0 2021-12-24 本发明公开了一种低频PECVD沉积氧化铝的方法，该方法是以三甲基铝为原料，以O2、水蒸气、乙醇蒸气中的其中一种含氧物质为氧化剂，通过低频PECVD法制备得到氧化铝。本发明低频PECVD沉积氧化铝的方法具有工艺简单、操作方便、成本低廉等优点，不仅能够省去常规方法中的后续等离子体处理步骤、降低制备成本、缩减工艺时间、提升产能，而且能够制备得到钝化效果更好的氧化铝，对于制备高光电转换效率的太阳电池以及扩大太阳电池的应用范围具有十分重要的意义。 专利权的授权
一种石墨舟的定位装置及定位方法 CN201910939760.1 2021-05-14 本发明公开了一种石墨舟的定位装置及定位方法，装置包括传输线体、托盘、前端限位机构、后端推舟机构、右侧推舟机构、托盘限位机构和托盘靠边驱动机构，传输线体用于输送托盘，托盘用于装载石墨舟，托盘限位机构设于传输线体的前端用于限制托盘前进，托盘靠边推动机构设于传输线体的右侧，前端限位机构设于传输线体的前端，后端推舟机构设于传输线体的后端，右侧推舟机构设于传输线体的右侧。方法包括托盘前后定位、托盘左右定位、石墨舟前后定位和石墨舟左右定位。本发明从多个维度对石墨舟托盘及石墨舟进行定位，能有效解决石墨舟定位精度的问题。 专利权的授权
一种管式PECVD设备压力控制装置 CN201910790369.X 2021-05-14 本发明的管式PECVD设备压力控制装置，包括控制器、第一反应室、第二反应室、第一薄膜规、第二薄膜规、主抽泵和VAT阀，主抽泵分别通过第一、第二主管路与第一、第二反应室连接，第一主管路与第二主管路并联形成汇流管路，VAT阀设于汇流管路上，第一反应室与第二反应室之间设有并联的第一支管路和第二支管路，第一支管路上设有第一气动阀和第二气动阀，第二支管路上设有第三气动阀和第四气动阀，第一、第三气动阀为互锁阀，第二、第四气动阀为互锁阀，第一薄膜规设于第一支管路上并在第一、第二气动阀之间，且通过第一控制线路与VAT阀连接，第二薄膜规设于第二支管路上并在第三、第四气动阀之间，且通过第二控制线路与控制器连接。 专利权的授权
管式PECVD设备的压力控制装置 CN201910790348.8 2021-09-10 本发明公开了管式PECVD设备的压力控制装置，包括至少一组反应室，每组反应室对应设有VAT阀和主抽泵，各组反应室共用一个预抽泵，每组反应室包括第一反应室和第二反应室，每组反应室中的第一反应室通过第一主管路与主抽泵连通，第二反应室通过第二主管路与主抽泵连通，第一主管路与第二主管路并联形成汇流管路，汇流管路与主抽泵连接，VAT阀设于汇流管路上，各组反应室中的第一反应室均通过第一支管路与预抽泵连接，各组反应室中的第二反应室均通过第二支管路与预抽泵连接。本发明的核心在于两管共用主抽泵时，工艺过程是错开的，相当于时刻都只有一个主抽泵为一个反应室工作，其余时间另一管利用预抽泵工作，大大降低了设备的成本。 专利权的授权
一种用于管式PECVD设备的尾气粉尘捕捉装置 CN201910749071.4 2021-11-26 本发明公开了一种用于管式PECVD设备的尾气粉尘捕捉装置，包括捕捉腔室，所述捕捉腔室内沿尾气的流动方向依次设有用于对尾气进行加热的加热区、用于对尾气进行冷却的冷却区、以及用于对尾气进行过滤的过滤区，所述加热区配设有水汽输入管。本发明具有有利于捕捉尾气中的粉尘，将尾气中的Al(CH3)3进行分解、反应并捕捉等优点。 专利权的授权
一种等离子体增强原子层沉积镀膜装置 CN201910749095.X 2023-05-26 本发明公开了一种等离子体增强原子层沉积镀膜装置，包括反应炉、第一进气支路和第二进气支路，所述反应炉一端设有用于进气的进气端盖，所述第一进气支路和第二进气支路均与所述进气端盖相连、且交替进气。本发明具有有利于使气体反应更加充分、膜层更加均匀、膜厚可以更加精准控制、减少环境污染等优点。 专利权的授权
掺镓硅锭的制备方法、掺镓硅锭和硅片 CN201910735850.9 - 本发明公开了一种掺镓硅锭的制备方法、掺镓硅锭和硅片，该制备方法包括以下步骤：将液态金属镓注入到硅料的孔洞中，使液态金属镓固化和/或密封孔洞，所得装有金属镓的硅料与剩余硅料装入石英坩埚中，经过熔化、再结晶和退火冷却，得到掺镓硅锭。掺镓硅锭由上述制备方法制得。硅片由上述掺镓硅锭制得。本发明制备方法能够实现掺镓过程以及掺镓含量的有效、精确控制，具有操作方便、易于控制、掺镓量精确度高等优点，由此制得的掺镓硅锭具有纵向电阻率分布均匀性好、少子寿命长等优点，且进一步制成的太阳电池光电转换效率更高，光致衰减率更低，对于实现太阳电池的广泛应用具有十分重要的意义。 专利申请的驳回
多掺杂硅锭的制备方法、多掺杂硅锭和硅片 CN201910735093.5 - 本发明公开了一种多掺杂硅锭的制备方法、多掺杂硅锭和硅片，该制备方法包括以下步骤：将硅料、硼硅合金、磷硅合金和镓合金混合，得到混合物料，其中混合物料中硅、硼、磷、镓的浓度比为1︰5.1×10‑8～1.1×10‑6︰6.4×10‑10～3.1×10‑6︰2.0×10‑9～4.2×10‑5；所得混合物料进行熔化、再结晶和退火冷却，得到多掺杂硅锭。多掺杂硅锭由上述制备方法制得。硅片由上述多掺杂硅锭制得。本发明制备方法制得的多掺杂硅锭，硼溶度较低，具有电阻率分布均匀性好、少子寿命长等优点，由此制备的太阳电池光电转换效率更高，光致衰减率更低，对于实现太阳电池的广泛应用具有十分重要的意义。 专利申请的驳回
能量过滤磁控溅射镀膜装置、透明导电氧化物薄膜的制备方法及HJT电池 CN201910677899.3 - 本发明公开了一种能量过滤磁控溅射镀膜装置、透明导电氧化物薄膜的制备方法及HJT电池，该装置包括真空室内相对设置的溅射靶材和衬底支架，衬底支架与溅射靶材的相对面上装设有需要镀膜的衬底，溅射靶材和衬底之间设置有平行于溅射靶材的过滤电极，过滤电极由若干个相互平行的金属线组成，金属线连接在衬底支架上。透明导电氧化物薄膜由上述装置制得。HJT电池中包含的透明导电氧化物薄膜由上述方法制得。本发明装置具有遮挡面积小、沉积速率高、靶材利用率高、成本低、适用范围广等优点，适合工业大规模生产推广，能够减少对衬底和透明导电氧化物薄膜的损伤，进而制备得到高质量透明导电氧化物薄膜以及具有优异电学性能的异质结电池。 专利申请的驳回
一种管式PECVD设备制备非晶硅薄膜的方法 CN201910575277.X - 本发明公开了一种管式PECVD设备制备非晶硅薄膜的方法，包括如下步骤：S1、将单晶硅片置于管式PECVD设备的炉管；S2、对单晶硅片进行前处理；S3、在单晶硅片上沉积第一层本征非晶硅薄膜；S4、在第一层本征非晶硅薄膜上沉积掺磷N型氢化非晶硅薄膜；S5、将单晶硅片进行翻面后置于另一个石墨载具，并置于管式PECVD设备的另一个炉管中，抽真空，恒温；S6、在单晶硅片背面上沉积第二层本征非晶硅薄膜；S7、在第二层本征非晶硅薄膜上沉积掺硼P型氢化非晶硅薄膜。本发明的方法设备成本低、占地面积小，生产产能高、经济效应好，同时实现了本征非晶硅层和掺杂非晶硅层的制备，减少了异质结制备所需的工艺腔和工艺步骤。 专利申请的驳回